小米13怎么看芯片？小米芯片和vivo芯片的区别是什么

本文目录

• 小米13怎么看芯片
• 小米芯片和vivo芯片的区别是什么
• 小米自研芯片被骂贴牌，官方实锤来了
• 小米发布120W“秒”充芯片，为12系列新机造势
• 小米全球首发，高通骁龙750G芯片发布，没有华为会更加任性
• 小米电池电量自研芯片曝光，你对它有什么期待
• 小米芯片是哪个国家的

小米13怎么看芯片

小米13看芯片步骤如下：1、在搜索引擎上搜索小米后进入官网。2、点击小米官网导航栏中的小米手机。3、选择要查看的小米13手机。4、点击以下页面右上角的参数页。5、在参数页面中即可查看小米13手机芯片参数。

小米芯片和vivo芯片的区别是什么

1.价格方面分别对比8＋128g ，8＋256g ，12＋256g三种版本小米12 这3个版本目前分别是3469，3769，4169。小米12pro这3个版本目前售价是4469，4769，5169.vivox80这3个版本目前售价3699，3999，4399vivo x 80 pro没有8＋128版本，其余两个版本售价5499，5999.（天玑版本12＋256售价也是5999）在价格方面两款手机因为小米有活动降价200元，pro版本的vivo比小米同版本贵了一千元左右。2.处理器方面vivo x 80搭载了天玑9000＋自研v 1＋芯片，x 80 pro搭载天玑9000和骁龙8旗舰芯片同样都是搭配自研v 1＋芯片。小米12和小米12 pro都是搭载了骁龙旗舰处理器。在跑分上4款手机都是轻松破百万。跑分相同的情况下vivo搭载的双芯在使用的时候比小米略微有点优势。自研v1芯片在游戏中可以充当独显使用，所以这方面略好于小米。在实际体验中，天玑9000的能效比更强，低频能耗更低，所以在日常使用中天玑优秀一点。3.电池方面vivo x 80 4500毫安大电池搭配80w闪充。pro版本还配备了50w无线闪充和10w的反向充电，电池容量升级为4700毫安。小米12 4500毫安大电池搭配了67w快充和50w无线闪充和10w反向充电。pro版本搭载了一块小米自研澎湃p1充电芯片支持120w快充。在充电上vivo虽然是双电芯充电，但是小米单电芯比vivo还要强一点，充电更安全效率更高。4.屏幕方面vivo X80采用三星E5柔性曲面高刷屏，1080P分辨率，120Hz刷新率，vivox80pro采用三星E5屏，2k分辨率，120Hz刷新率小米12采用的华星光电柔性曲面高刷屏，1080P分辨率，120Hz刷新率小米12pro采用三星E5屏，2k分辨率，120Hz刷新率屏幕方面vivopro和小米pro相比差别不大，但是vivox80pro采用LTPO 3.0 技术，省电效果更出色，屏幕也更丝滑但是普通版vivo要比小米12好5，外观颜值上外观上vivo设计感更强，但是个人不太喜欢大摄像头。总结其他方面vivo摄像头虽然堆料很充足，但是无论是pro版本还是普通版本没有比小米强太多，但是小米不支持ip68防水防尘。除了价格上vivo还是要比小米堆料更足。在普通版本中，相同价位的话vivo x 80比小米更有优势，但是喜欢小屏幕和单手握持上小米更舒服一点。pro版本上比小米性价比要更高一点，vivo贵一点但是有贵的必要。

小米自研芯片被骂贴牌，官方实锤来了

华为有性能爆表、功耗优秀且自主研发而来的麒麟芯片；

vivo 有服务于专业影像计算系统的 V1 影像芯片；

临近发布的 OPPO FIND X5 会带来其首款自研的 NPU 芯片 —— 马里亚纳 MariSilicon X;

至于小米，为了实现手机上的 120W 单电芯 技术，自主研发了澎湃 P1 充电芯片。

这对于小米来说本来是一件值得骄傲的事，但最近却 “出事” 了。

前不久，有一名微博用户发布推文，写着澎湃 P1 配上一个微笑的表情，配文下方是一张澎湃 P1 芯片与南芯半导体芯片的晶圆丝印对比，从图中可以看到，两者几乎一模一样。

官方表示，小米澎湃 P1 芯片为小米自研设计、南芯半导体代工（内部代号 SC8561）。这款芯片具备超高压 4:1 充电架构，实现了 120W 单电芯充电。

支持 1：1、2：1 和 4：1 的转换模式，所有模式均可双向导通，可实现有线 120W、无线 50W、无线反充等多种充电功能。

小米自研的澎湃 P1 芯片与南芯 SC8571 在拓扑结构上完全不同，是不同设计、不同功能、不同定位的两颗充电芯片。

简单点来说就是澎湃 P1 由小米自主研发设计，南芯负责代工。这就好比苹果 A15 是由台积电负责代工，高通骁龙 8 Gen 1 芯片由三星代工，是一个道理。

其次，充电芯片不像手机的 SOC，需要集成通信基带、GPU 图形处理器、ISP 图像处理器、NPU 神经网络处理器等等，难度相较而言没有那么大。

而小米作为一家市值接近 4000 亿港元（之前突破了 4000 亿但又跌落下来了）的 科技 公司，想做好一个充电芯片也是没有问题的，就算用钱砸也能砸出来。

所以关于自研芯片这件事，小米没必要搬起石头砸自己的脚，给自己留下不必要的信任危机和把柄。

我们再来说说充电芯片这件事，其实 120W 目前已经见怪不怪了，也不是小米独有。

和小米合作代工的南芯半导体，就曾在 2021 年 9 月推出代号为 SC8571 的芯片。该芯片为超高压 4：2 充电架构，同样可以实现 120W 双电芯充电。

但是，小米这颗澎湃 P1 芯片还是要更胜一筹的。它是行业首次实现 “120W 单电芯” 充电技术。而之前都是采用的串联双电芯。

小米表示，过去的单电芯快充体系中，要把输入手机的 20V 电压转换成可以充入电池的 5V 电压，需要 5 个不同种电荷泵的串并联电路。

大量的电荷泵和整体串联的架构会带来很大的发热量，实际使用中完全无法做到长时间满功率运行，更难以做到 120W 高功率快充。

驱动小米 120W 澎湃秒充的核心是两颗小米自研智能充电芯片：澎湃 P1。它们接管了传统的 5 电荷泵复杂结构，将输入手机的高压电能，更高效地转换为可以直充电池的大电流。

澎湃 P1 作为业界首个谐振充电芯片，拥有自适应开关频率的 4:1 超高效率架构，谐振拓扑效率高达 97.5%，非谐振拓扑效率为 96.8%，热损耗直线下降 30% 。

澎湃 P1 本身承担了大量的转换工作：传统电荷泵只需要两种工作模式（变压、直通），而澎湃 P1 需要支持 1:1、2:1 和 4:1 转换模式，并且所有的模式都需要支持双向导通。

这意味着总共需要 15 种排列组合的模式切换控制 —— 是传统电荷泵的 7 倍。

正向 1:1 模式让亮屏充电效率更高，正向 2:1 模式可兼容更多充电器，正向 4:1 可支持 120W 澎湃秒充，反向 1:2/1:4 模式可支持高功率反向充电。

澎湃 P1 也是小米充电效率最高的 4:1 充电芯片，可做到 0.83W /mm² 超高功率密度，LDMOS 也达到业界领先超低 1.18mΩmm² RSP。

而澎湃 P1 芯片内部需要用到三种不同耐压的 FLY 电容，每颗电容需要独立的开短路保护电路，而每种工作模式又需要严格控制预充电压，功率管数量接近传统电荷泵的两倍。

并且因为拓扑设计和功能复杂度的提升，每片澎湃 P1 在出厂时都需要通过 2500 多项测试，远高于传统电荷泵。

虽然说了很多专业术语，但用户只需要明白它的主要优势有这些：

澎湃 P1 充电芯片实现了有线 120W 、无线 50W 的充电速率，同时还支持 10W 无线方向充电。

并且它是单电芯，相比于双电芯，它的空间利用率更高，同等体积下电池容量更大，利用控制机身厚度，温控方面，也能得到进一步降低。

所以作为国产的小米，这点上研发实力非常值得肯定。至此，“小米澎湃 P1 芯片是买来的” 这件事，不攻自破。

事件的最后，发文的博主目前也已经删除微博，网友们在这件事上也纷纷表示支持小米，支持国产自主研发的实力。

果子相信盲目跟风的网友们，大多数只是吃风凑热闹，但有句话说的好 —— 谣言止于智者，盲目跟风只会显得自身无知。

所以面对这类事情，一定要理性看待，不信谣，不传谣。因为有原则有底线的人都不会无事生非。而跟风者，是压死受害者身上的最后一根稻草。

一件事一旦一传十，十传百之后。网友就会从吃瓜群众的角色演变成有利可图的人手中的棋子。

而事情在经过未经证实、不明不白的添油加醋后，原来的真相与本质，就会被深盖淹没。到了最后，事件主角成了最大的受害者，遭受了不可逆的伤害与损失。

前阵子 “刘学州” 网暴自杀事件足以给我们敲响警钟了。

小米虽然是一家 科技 公司，不是单体的个人。

但造谣这种事件，无论是对个人、团体、还是公司，都绝对不可取，因为他们理应得到尊重。

图片及资料来源:

IT 之家：网传小米澎湃 P1 芯片并非自研，南芯半导体回应：消息不实

https://www.ithome.com/0/602/111.htm

小米发布120W“秒”充芯片，为12系列新机造势

电子发烧友网报道（文/李诚）距小米12系列发布日期愈发临近，每天给你一个小惊喜的小米官方于12月24日再爆“猛料”，小米将会在12Pro机型中搭载自研芯片澎湃P1，这是小米澎湃系列继S1/C1后的第三款芯片，也是首款自研充电芯片，支持单电芯120W大功率“秒”充，电芯电量0至100%仅需15分钟。 图源：小米 对于小米这位“黑 科技 ”玩家来说，造芯已经不是什么新鲜事了。小米于2017年在自研芯片的道路上迈出了第一步，发布首款澎湃S1手机处理器芯片，并搭载在小米5C机型中，成功切入手机芯片研发赛道。不过由于各种原因，搭载该芯片的手机给用户带来的使用体验不佳，导致手机销量并不理想，小米也因此暂时搁置了芯片研发的后续工作。 在澎湃S1发布后续的几年中，小米造芯的事情如石沉大海般，有关造芯的消息甚少，在大家都认为小米已经放弃芯片的研发工作之时，雷军公开回应了大家的疑虑，并表示手机芯片的研发工作确实是遇到了困难，但造芯计划还在持续。时隔四年，卧薪尝胆的小米在芯片领域再次实现突破，于今年三月发布了一款ISP专业影像芯片澎湃C1。 芯片短缺迫使不少厂商走上了芯片自研的道路，澎湃C1只是小米在芯片研发道路上新的起点，如今12Pro发布在即，小米携重磅自研芯片澎湃P1前来撑场，为新机的发布进行充分的预热。 回顾小米手机充电功率的发展史，就可以看出小米近年来在快充领域积极的 探索 着，并于2019年起将快充设为重要的战略方向。小米5的发布标志了小米开始进入18W快充时代，从小米9开始充电功率逐渐提高，到2020年，小米10Pro充电功率提升至50W。在很多网友还在为50W快充带来的极速体验为之兴叹之时，同年8月发布的小米10至尊版充电功率实现了百瓦的突破，120W的充电功率一度领先众多国内手机厂商，并成为全球首个最早量产120W快充的手机品牌。如今自研快充芯片成功，小米又可以再度领先友商一段时间了。 据官方介绍，澎湃P1是一款充电芯片，可满足最高120W的单电芯快充应用。确切的来说，这是一款电荷泵芯片，主要用于电芯前端，负责对充电电压与电流进行管理，起到降低充电系统热量，提高充电效率的作用。澎湃P1的亮点在于实现了百瓦快充单电芯电源架构的突破，达到了目前市面上其他芯片所未能企及的高度。 图源：小米 目前市面上支持百瓦快充的手机均采用双电芯架构，那么小米的单电芯架构和主流的双电芯架构有何不同，又存在什么优势呢？ 单电芯与双电芯最本质的区别在于电芯的数量不同，双电芯也就意味着需要更多的元器件作为电路的支持，会让本就拥挤的手机内部空间带来更沉重的负担，同时也会因冗余的电路导致原本属于电芯的空间被占用，进而降低电芯的容量。在相同的空间下，单电芯的电芯容量会高于双电芯4%。 同时，在电芯充放电过程中，由于单电芯供电链路比双电芯供电链路更短的原因，单电芯的系统转换效率也会高于双电芯3% 4%。同时由于双电芯使用的电荷泵芯片也会被比单电芯的用量更多，因此应用成本也会更高。仅从成本、电芯容量与转换效率来看，单电芯架构在紧凑的手机内部中应用更具优势。 图源：小米 上图为小米12Pro 120W澎湃“秒”充的电路拓扑，该方案采用两颗澎湃P1并联的方式，对单电芯充放电的电流电压进行管理，最高支持120W的电能输入。当输入电能为20V/6A时，并联的澎湃P1芯片能够将20V的输入电压转换为5V的电芯安全电压，并将充电电流提升至24A，以保证大功率快充的安全性与高效性。 这款芯片在实际工作中具有多档自由变压的功能，可根据手机当前的工作状态以及使用的充电设备，实现1：1、2：1和4：1充电模式的自由切换，以满足在不同应用场景中，充电效率一直保持在较高水平。据小米官方表示，该芯片在4：1的工作模式下，充电效率达到最高，在谐振拓扑应用中转换效率为97.5%，非谐振拓扑的效率为96.8%，并有效降低30%的热损耗。 在这款芯片还未面世之前，4：2双电芯的充电模式一直被视为最优的快充解决方案之一，直至澎湃P1的出现，突破了手机大容量电芯和快充无法兼容的技术壁垒，填补了快充行业120W单电芯的技术空白。澎湃P1的发布，也预示着小米在技术研发上又取得了一定的进步，为国产芯片再添一笔。

小米全球首发，高通骁龙750G芯片发布，没有华为会更加任性

高通，一家以芯片研发设计为主的高 科技 公司，其掌握着2G、3G、4G领域的多项核心专利，基本每家移动终端厂商都绕不开。而它也凭借着出色的研发能力成为智能手机行业首选的芯片厂商，虽然市场上诞生了多家竞争对手，但是真正能对高通造成威胁的并不多。不过，最近两年可能是感觉到无所畏惧，推出的芯片在不断“挤牙膏”，对于中端芯片，高通越走越远。

在5G时代，高通并没有取得领先，反而是被国产厂商华为来了一个弯道超车。好在，高通及时推出了相关5G产品来稳固市场。 目前，在旗舰芯片领域高通拥有骁龙865和骁龙865 Plus两款高端5G芯片，但仍然是外挂式基带。 中端芯片领域拥有骁龙765、骁龙765G、骁龙768G三款芯片，性能之间相差不大，它们是集成式的芯片，可性能在同级别中已经处于较低水平。

骁龙8系列的表现一如既往的出色，可对于5G中端芯片市场，高通一直在“挤牙膏”。近日，高通又带来了一款骁龙7系列中端5G芯片，定位要低于骁龙765G。 CPU部分采用了2颗频率为2.2GHz的Cortex A77大核心和6颗主频为1.8GHz的Cortex A55八核心架构，GPU部分为 Adreno 619。 整体性能要弱于高通骁龙765和765G，但是要稍高于骁龙732G。

其它方面，高通骁龙750G是采用的8nm工艺制程打造，最高支持后置1.92亿像素，支持120Hz屏幕刷新率。 行业最新的蓝牙5.1、WIFI 6、QC4.0+快充都是支持的，同时还集成了最新的X52 5G基带，支持双模5G组网 。亮点是这次该芯片升级了Elite 游戏 增强功能，在 游戏 方面会有较大的提升，支持独家的GPU驱动升级。后续体验应该不会差。

这颗芯片可以看做是骁龙690的升频版本、也可以说是骁龙732G的升级版。 作为和高通关系最为紧密的厂商，小米将会在今年年底推出相关的机型，并且是全球首发。 不出意外的话应该是红米某款新机，主打高性价比，可能会再度拉低5G手机的售价。至于这颗芯片的性能就不要多想了，不如天玑820、不如麒麟820，它的定位是“牙膏中的牙膏”。

尽管高通在旗舰芯片领域有着巨大的优势，可它在中端市场的表现简直不忍直视，今年简直是为联发科送温暖的。原本骁龙730和骁龙765G之间的性能差距就不是特别大，现在又挤出了一个骁龙750G，挤牙膏的手法越来越成熟了。 之前有联发科和华为给它压力，现在华为被制裁后，麒麟芯片短期内无法再对高通形成威胁，恐怕后续高通会更加任性了 。

不过，也有消息称高通正在研发“牙膏挤爆”的中高端5G芯片，具体的上市时间还不清楚。高通骁龙750G的具体表现如何，需要等到年底小米新机的上市才知道了。

小米电池电量自研芯片曝光，你对它有什么期待

主要期待是该芯片将改善或提高小米手机的续航情况以及合理安排每一款APP消耗电量。

七月份，小米公司即将推出新的高端旗舰款手机。根据网络曝光的信息和知名博主透露的信息，高端旗舰款手机的性能得到大幅提升。主要目标是抢占高端手机消费者市场，为小米公司带来更多的新用户。伴随而来的是芯片研发取得突破，该芯片涉及到的是电池电量。

其实，这并不是小米公司第一次推出自研芯片，体现小米公司在自研芯片领域取得不俗的成就。

第一款快充芯片为澎湃s1，主要涉及到的功能是提高手机整体性能。第二款芯片为澎湃c1，主要用于摄像技术的提高，比如大幅提升小米手机的像拍照效果。

期待：改善小米手机的充电和续航

自小米公司发布旗舰款手机以来，小米手机一直被人们称之为最发热的手机之一。打开的APP数量越高，用户面对着手机的表面温度越高。此外，尽管小米手机一直都在提高电池续航能力，但是小米手机长时间出现严重的发热状况，势必会影响充电和续航。

为此，小米公司结合相关技术和技术人员的能力，先后推出两款芯片。接下来的第三款芯片能否被应用到高端旗舰款手机，还是一个未知数，但我更期待自研芯片能够进一步改善小米公司的电量消耗和手机续航。

反观小米公司在自研芯片领域的突破和成就，尽显中国企业的成长和历练。自研芯片的功能不同，适用手机范围不同，刚好可以弥补手机本身的缺陷。久而久之，小米公司利用自研芯片提高手机性能已成为事实，便于该公司抢占高端智能旗舰手机市场。

小米芯片是哪个国家的

你好，小米芯片是美国的，用的是高通骁龙处理器，还有中国台湾的联发科的，联发科的天玑1000+旗舰芯片，redmi k30用的就是联发科的。