英特尔slc固态硬盘（多奇SSD120G固态硬盘怎么样）

本文目录

• 多奇SSD120G固态硬盘怎么样
• 固态硬盘为什么有些价格差距很大
• 有哪些128G固态硬盘推荐，适合穷学生消费的
• 固态硬盘SSD的SLC与MLC和TLC三者的区别
• 固态硬盘slc mlc tlc怎么区分
• 固态硬盘的闪存类型：SLC MLC TLC 各指的是什么哪种比较好
• 如何评价英特尔 Intel 660P 系列固态硬盘
• 为什么intel 美光等几大巨头不生产slc的固态硬盘

多奇SSD120G固态硬盘怎么样

杂牌，不怎么样，能用多久看运气，比七彩虹，影驰，金泰克等还要差的品牌。固态硬盘只推荐以下品牌：SAMSUNG 三星，Toshiba 东芝，SanDisk 闪迪， Intel 英特尔，PLEXTOR 浦科特，CORSAIR 美商海盗船，ADATA 威刚，金士顿 Kingston，hp惠普，以上品牌只要是正品行货，质量都有保证。至于其他国产品牌，比如七彩虹，影驰，金泰克之类的都不推荐，就更不要说多奇之类的听都没听说过的了。本人是做IT外包的，给客户用过很多固态，国产固态大都用个一两年就坏，翻车几率很大，这里不是崇洋媚外，事实如此。需要注意的是金士顿的产品假货很多，一定要去正规大平台购买。

固态硬盘为什么有些价格差距很大

SSD固态硬盘不同的传输协议都有不一样的速度，好比说PCle的SSD可以达到平均每秒2000MB左右的读写速度，价格也会相对的贵些，SATA SSD的话传输平均只能达到500MB每秒左右，也就是说传输速度越快价格也会相对的比较贵，如果要入手SSD的情况下推荐影驰的ONE M.2的SSD性价比来说是一款很高的SSD。

有哪些128G固态硬盘推荐，适合穷学生消费的

学生再穷，不会差那30、50块钱吧？起码买256g的。128g的相比256g的从速度和寿命来说，真心不合适。

建议买三星PM981（245元），英特尔760p（325元），西部数据黑盘n750（350元）。

固态硬盘SSD的SLC与MLC和TLC三者的区别

1、具体含义不同：

SLC即Single Level Cell，速度快寿命长，价格较贵，约10万次擦写寿命。

MLC即Multi Level Cell，速度一般寿命一般，价格一般，约3000~10000次擦写寿命。

TLC即Trinary Level Cell，也有Flash厂家叫8LC，速度慢寿命短，价格便宜，约500-1000次擦写寿命。

2、硬件情况不同：

大多数U盘都是采用TCL芯片颗粒，其优点是价格便宜，不过速度一般，寿命相对较短。而SSD固态硬盘中，MLC颗粒固态硬盘是主流，其价格适中，速度与寿命相对较好，而低价SSD固态硬盘普遍采用的是TLC芯片颗粒。

扩展资料：

固态硬盘特点

1、固态硬盘和机械硬盘相比读写速度远远胜出，这也是其最主要的功能，还具有低功耗、无噪音、抗震动、低热量的特点，这些特点可以延长靠电池供电的计算机设备运转时间。

2、固态硬盘防震抗摔性传统硬盘都是磁碟型的，数据储存在磁碟扇区里。而固态硬盘是使用闪存颗粒（即mp3、U盘等存储介质）制作而成，所以SSD固态硬盘内部不存在任何机械部件。

参考资料来源：百度百科-MLC

参考资料来源：百度百科-SLC MLC

参考资料来源：百度百科-固态硬盘

固态硬盘slc mlc tlc怎么区分

SLC、MLC和TLC
X3(3-bit-per-cell)架构的TLC芯片技术是MLC和TLC技术的延伸,最早期NAND Flash技术架构是SLC(Single-Level Cell),原理是在1个存储器储存单元(cell)中存放1位元(bit)的资料,直到MLC(Multi-Level Cell)技术接棒后,架构演进为1个存储器储存单元存放2位元.
2009年TLC架构正式问世,代表1个存储器储存单元可存放3位元,成本进一步大幅降低.
如同上一波SLC技术转MLC技术趋势般,这次也是由NAND Flash大厂东芝(Toshiba)引发战火,之后三星电子(Samsung Electronics)也赶紧加入战局,使得整个TLC技术大量被量产且应用在终端产品上.
TLC芯片虽然储存容量变大,成本低廉许多,但因为效能也大打折扣,因此仅能用在低阶的NAND Flash相关产品上,象是低速快闪记忆卡、小型记忆卡microSD或随身碟等.
象是内嵌世纪液体应用、智能型手机(Smartphone)、固态硬碟(SSD)等技术门槛高,对于NAND Flash效能讲求高速且不出错等应用产品,则一定要使用SLC或MLC芯片.
2010年NAND Flash市场的主要成长驱动力是来自于智能型手机和平板计算机,都必须要使用SLC或MLC芯片,因此这两种芯片都处于缺货状态,而TLC芯片却是持续供过于求,且将整个产业的平均价格往下拉,使得市调机构iSuppli在统计2010年第2季全球NAND Flash产值时,出现罕见的市场规模缩小情况发生,从2010年第1季43亿美元下降至41亿美元,减少6.5%.
U盘MP3中使用的SLC、MLC、TLC闪存芯片的区别：
SLC = Single-Level Cell ,即1bit/cell,速度快寿命长,价格超贵（约MLC 3倍以上的价格）,约10万次擦写寿命
MLC = Multi-Level Cell,即2bit/cell,速度一般寿命一般,价格一般,约3000---10000次擦写寿命
TLC = Trinary-Level Cell,即3bit/cell,也有Flash厂家叫8LC,速度慢寿命短,价格便宜,约500次擦写寿命,目前还没有厂家能做到1000次.
目前,安德旺科技生产的指纹U盘产品中采用的闪存芯片都是三星MLC中的原装A级芯片.读写速度：采用H2testw v1.4测试,三星MLC写入速度: 4.28-5.59 MByte/s,读取速度: 12.2-12.9 MByte/s.三星SLC写入速度: 8.5MByte/s,读取速度: 14.3MByte/s.
需要说明的闪存的寿命指的是写入(擦写)的次数,不是读出的次数,因为读取对芯片的寿命影响不大.
面是SLC、MLC、TLC三代闪存的寿命差异
SLC 利用正、负两种电荷 一个浮动栅存储1个bit的信息,约10万次擦写寿命.
MLC 利用不同电位的电荷,一个浮动栅存储2个bit的信息,约一万次擦写寿命,SLC-MLC【容量大了一倍,寿命缩短为1/10】.
TLC 利用不同电位的电荷,一个浮动栅存储3个bit的信息,约500-1000次擦写寿命,MLC-TLC【容量大了1/2倍,寿命缩短为1/20】.
闪存产品寿命越来越短,现在市场上已经有TLC闪存做的产品了
鉴于SLC和MLC或TLC闪存寿命差异太大
强烈要求数码产品的生产商在其使用闪存的产品上标明是SLC和MLC或TLC闪存产品
许多人对闪存的SLC和MLC区分不清.就拿目前热销的MP3随身听来说,是买SLC还是MLC闪存芯片的呢?在这里先告诉大家,如果你对容量要求不高,但是对机器质量、数据的安全性、机器寿命等方面要求较高,那么SLC闪存芯片的首选.但是大容量的SLC闪存芯片成本要比MLC闪存芯片高很多,所以目前2G以上的大容量,低价格的MP3多是采用MLC闪存芯片.大容量、低价格的MLC闪存自然是受大家的青睐,但是其固有的缺点,也不得不让我们考虑一番.
什么是SLC?
SLC英文全称(Single Level Cell——SLC)即单层式储存 .主要由三星、海力士、美光、东芝等使用.
SLC技术特点是在浮置闸极与源极之中的氧化薄膜更薄,在写入数据时通过对浮置闸极的电荷加电压,然后透过源极,即可将所储存的电荷消除,通过这样的方式,便可储存1个信息单元,这种技术能提供快速的程序编程与读取,不过此技术受限于Silicon efficiency的问题,必须要由较先进的流程强化技术(Process enhancements),才能向上提升SLC制程技术.
什么是MLC?
MLC英文全称（Multi Level Cell——MLC)即多层式储存.主要由东芝、Renesas、三星使用.
英特尔（Intel）在1997年9月最先开发成功MLC,其作用是将两个单位的信息存入一个Floating
Gate（闪存存储单元中存放电荷的部分）,然后利用不同电位（Level）的电荷,通过内存储存的电压控制精准读写.MLC通过使用大量的电压等级,每个单元储存两位数据,数据密度比较大.SLC架构是0和1两个值,而MLC架构可以一次储存4个以上的值,因此,MLC架构可以有比较好的储存密度.
与SLC比较MLC的优势：
签于目前市场主要以SLC和MLC储存为主,我们多了解下SLC和MLC储存.SLC架构是0和1两个值,而MLC架构可以一次储存4个以上的值,因此MLC架构的储存密度较高,并且可以利用老旧的生产程备来提高产品的容量,无须额外投资生产设备,拥有成本与良率的优势.
与SLC相比较,MLC生产成本较低,容量大.如果经过改进,MLC的读写性能应该还可以进一步提升.
与SLC比较MLC的缺点：
MLC架构有许多缺点,首先是使用寿命较短,SLC架构可以写入10万次,而MLC架构只能承受约1万次的写入.
其次就是存取速度慢,在目前技术条件下,MLC芯片理论速度只能达到6MB左右.SLC架构比MLC架构要快速三倍以上.
再者,MLC能耗比SLC高,在相同使用条件下比SLC要多15%左右的电流消耗.
虽然与SLC相比,MLC缺点很多,但在单颗芯片容量方面,目前MLC还是占了绝对的优势.由于MLC架构和成本都具有绝对优势,能满足2GB、4GB、8GB甚至更大容量的市场需求.

固态硬盘的闪存类型：SLC MLC TLC 各指的是什么哪种比较好

除了主控芯片和缓存芯片以外，PCB板上其余的大部分位置都是NAND
Flash闪存芯片了。NAND
Flash闪存芯片又分为SLC（单层单元）和MLC（多层单元）NAND闪存：
1.SLC全称是单层式储存
(Single
Level
Cell），因为结构简单，在写入数据时电压变化的区间小，所以寿命较长，传统的SLC
NAND闪存可以经受10万次的读写。而且因为一组电压即可驱动，所以
英特尔固态硬盘(15张)
其速度表现更好，目前很多高端固态硬盘都是都采用该类型的Flash闪存芯片。
2.MLC全称是多层式储存（Multi
Leveled
Cell），它采用较高的电压驱动，通过不同级别的电压在一个块中记录两组位信息，这样就可以将原本SLC的记录密度理论提升一倍。作为目前在固态硬盘中应用最为广泛的MLC
NAND闪存，其最大的特点就是以更高的存储密度换取更低的存储成本，从而可以获得进入更多终端领域的契机。不过，MLC的缺点也很明显，其写入寿命较短，读写方面的能力也比SLC低，官方给出的可擦写次数仅为1万次。
3.TLC即Triple-cell-per-bit，由于采用三层存储单元，因此可以以较低的成本实现更大的容量。具体来讲，SLC只有两个电平状态，MLC则为4个，TLC则多达8个，同容量下TLC的Die的尺寸比MLC小33%，因此价格也便宜了33%。当然良品率等因素也会对价格产生影响。
由于TLC拥有多达8个电平状态，因此在电位控制上更加复杂，特别是写入速度会大受影响，延迟增加。加之如此多的电平状态，电子一旦溢出变会非常容易导致出错，难以控制，这就是为什么需要更强ECC纠错能力的原因，否则TLC闪存的寿命将会不堪一击。

如何评价英特尔 Intel 660P 系列固态硬盘

英特尔固态盘 660p 系列是英特尔首款采用先进 QLC（四层单元）NAND 技术的固态盘。它旨在提供诸如网上冲浪、办公和居家工作以及媒体娱乐等客户端平台使用所需的性能。

随着闪存颗粒技术的不断进步，市场顺利从SLC、MLC成功跳跃至TLC，几年来的事实证明，TLC的稳定性和性能表现令人满意，足以应付主流消费者需求，为接下来的QLC普及开了好头。

在2018全球闪存技术峰会上，intel（英特尔）推出旗下第一款QLC存消费级SSD——SSD 660P，是600P的升级版，定位介于600p及700p之间，能满足主流玩家市场需求。

全新SSD 660P有512GB、1TB、2TB三种容量，均提供5年质保。intel 660P采用M.2 2280规格，主控未知，基于高密度3D QLC NAND 颗粒，提供512GB/1TB/2TB三种容量。

走PCI-E 3.0 x4通道，支持NVMe 1.3协议，最高连续读取可达1800MB/s，写入1100MB/s，4K随机读写为150K IOPS。

此次所搭载的是64层3D QLC颗粒，相比TLC容量增加了33%，单颗粒最高可达到256GB或512GB。

关于QLC最关心的寿命问题，官方表示该64层3D QLC颗粒P/E循环约为1000次左右，比TLC略少一些，面向主流一般市场。

这类产品主要是依靠大容量和高性价比来抢占主流市场，可以预见接下来市场中高容量QLC SSD将进一步渗透。

为什么intel 美光等几大巨头不生产slc的固态硬盘

SLC以前在64G固态有，因为闪存性能很低，排放占用位置大，闪存芯片单面储存，读写使用寿命低已淘汰，现在Intel与镁光研发新的3D NAND堆叠技术，使储存密度大大增加了，闪存也从TLC升级了MLC！所以SLC闪存颗粒受到尺寸限制！

同尺寸固态，SLC、TLC、MLC闪存颗粒排放(如图)，最好就是MLC