光刻机最新消息（热点早解读：28nm光刻机有消息了不管前途几何，都不能放弃）

本文目录

• 热点早解读：28nm光刻机有消息了不管前途几何，都不能放弃
• 国内传来消息，清华大学科研成果再立功，光刻机之路一片坦途
• 华为有救了荷兰光刻机巨头：已向大陆“大量”交付光刻机
• EUV光刻机争夺战打响，国产光刻技术难题有何解

热点早解读：28nm光刻机有消息了不管前途几何，都不能放弃

一、热点消息

今年，我国半导体产业已有不少好消息陆续传出。

被提及最多的光刻设备方面，近来有消息称上海微电子即将于

2021年交付首台国产的 28nm 光刻机。

再来看，之前的美国的制裁吧：

5月12日，美国半导体制造商LAM、AMAT等公司发布函件，要求中国的军用产品代工厂不得使用美国半导体来生产军用集成电路，同时启用“无限追溯”；5月15日，美国商务部产业安全局将华为及其在“实体清单”上的关联公司的临时通用许可证延期了90日，要求华为设备使用商者尽快寻找替代商。

二、形势不容乐观，但是28nm够用么？

很多人默默地打开了自己刚刚购买的新电脑

查看配置，处理器选项。

什么！才28nm，老子的锐龙处理器都7nm了，

停停停，先听我说完

或许在许多人看来28nm制程工艺相比7nm还相差甚远，

但实际上是一个分界点，

像是物联网、家电、通信、交通、航空航天等领域，已能满足

那就是满足了市场上的大部分需求。

从2019年全球晶圆代工产能分布，

包括我国每年进口的3000亿美元芯片中也可以看到，

28nm以上制程才是主流。

所以，这意味着

一旦完全掌握28nm芯片制造技术，我们很大程度上就能满足国内发展所需。

现在知道了吧，这比自己玩得爽的手机、电脑可不一样。

三、我们的芯片大多来自哪里？

1、我们拿货真多，却不能自给

根据第三方数据，仅2019年我国的芯片进口额就突破千亿美元，

作为全球最大的芯片进口国。

但是，我国每年的芯片自给率却不足30%。

2、谁掌控了这芯片

为了改善这一局面，不少企业投身芯片行业，但在芯片制造领域却很难有突破，

其中，最最主要的拦路虎，就是大BOSS“光刻机”

而在光刻机领域，荷兰ASML是当之无愧的巨头。

在华为被接连的芯片被动挨打中，他们俩的名号也算了普及到很多人了。

全球范围内能够生产出高端芯片的光刻机，只有荷兰ASML ，

大家记住哈~它是唯一的，

而且还每年限制产能，所以想给谁，想多少钱给，它说的算。

四、我们得自己造呀

1、放心，已经再造了

今天只说他们家。

好在，经过十余年的发展后，我国在光刻机领域也诞生了一位新巨头。

上海微电子装备有限公司，2002年开始生产研发光刻机

在短短18年里，他们创下了3200项专利，

成功打破技术封锁，造出中国最先进的光刻机，

目前，已经实现90nm光刻机的量产。

哎！反正你们看不上，

那不如我再多说一点。

2、那什么水平？

只相当于荷兰ASML15年前的水平！

但是，

ASML光刻机的技术虽然先进，但集结了以美国为首的多国结晶，

例如美国的光学设备、德国的蔡司镜头。

多达5万多零部件，也大多依赖进口。

上海微电子，生产的光刻机设备却是自主研发和创新。

民族热情高涨，来点掌声！

3、怎么解读这28nm

对内：政府的扶持（列入国家863重大 科技 攻关计划，国家重大 科技 专项02的项目之一），

对外：《瓦森纳协定》对华高 科技 出口管制。

与ASML的众星捧月不可同日而语。

公司高层在接受采访时表示：

“2007年，当光刻机的第一束光曝出来时，我们都热泪盈眶。”

“没有人才团队，没有技术积累，没有配套的供应链。

西方国家对这一技术限制很多。”

目前，团队还在超1000个技术与管理人才的共同努力下，全力追赶ASML，

而光刻机制造对资金以及技术积累要求苛刻，请多给一点时间！

虽然即便是28nm技术。

但倘若28nm沉浸式光刻机可顺利交付，

这将把我们的芯片事业推进到一个崭新的高度。

未来可期，未来可待！

国内传来消息，清华大学科研成果再立功，光刻机之路一片坦途

相信很多人都知道，华为被芯片禁令限制了进一步的发展，但这个限制也仅仅是在制造端，而不是设计端。此前华为任正非就曾表示，所谓封锁也只是封锁了制造芯片的光刻机等设备，而并不能阻碍中国自主研发设计芯片的发展。这意味着，华为是有能力设计出全球最顶尖的芯片，而仅仅是受制于制造端。 杀不死我的必将使我更加强大，就在芯片禁令生效之后，华为内部甚至中国企业，纷纷都开始重新认识自主研发 科技 的重要性。将重要的 科技 掌握在自我手中，不用再受制于人，是每一个出海的中国企业必须面临的问题。与此同时，也开始投入重金在半导体 科技 领域。 这次卡脖子的光刻机技术，是重中之重。不过国外的各种公司却依然投来了鄙视的目光，认为光靠中国自主技术去研发，根本不可能设计出自研芯片。随着国外势力的这种冷嘲热讽，中国各高等院校开始加入了这一场反击战。 让技术的回归技术，光刻机在内部结构中，最主要的三个部件就是光源、光学镜头，以及双工件台系统了。 最近一段时间，年初开始进行光刻机研究的清华科研队伍，终于取得了新的突破。唐传祥带领的科研团队，通过新的验证方式，获得了一种新型加速粒子，命名为稳态微聚束。而它最重要的波长对应的波段，刚好是EUV光刻机所需要的核心光源技术。 这一消息被证实后，许多国外的光刻机设备工程师都不由地赞叹，该来的还是来了。这一步骤的完成，将预示着中国自造的光刻机研发成果，已经进入了新的里程碑。 这个消息也让很多关心中国光刻机进展的朋友们，大为惊讶。也发出了另一种赞叹的声音，有可能中国将在未来几年之内获得更快速的进展，包括了目前难以攻克的光刻机设备。不过来自国内的声音，清华大学科研的成功，预示着光刻机高精尖技术的加速，可能真的用不了几年就能收获更大的惊喜。 果不其然，据最新媒体的报道显示，清华科研团队参与的项目中，华卓精科研发的成果方面，本身产品的应用精度已经达到了世界先进水平，1.8nm的参数足以媲美当今先进的光刻机标准。 而我们知道，双工件是ASML这家机构最看重的技术。ASML不用多解释，作为世界最先进的 光刻机设备制造商，实力非常雄厚。这次清华团队的研究成果能够匹配ASML的1.8nm水平，就已经说明了我国的实力，毕竟连日本的尼康等公司，都没有能够做到1.8nm的水平。 这个结果足以打脸国外之前那些媒体，另外除了我国的高等院校参与之外。目前，中科院的高能辐射光源设备，也已经能够用0.1nm镀膜的参数，全力投入使用。 至此目前EUV光刻机所需的三大件均已完成里程碑的突破，这标志着量变终于引起了质变。国内的中科院教授同样发出这样的感叹，有这样的进度和人才储备，未来3年之内完成光刻机的初步模型，指日可待。 而国外ASML一直以来唱衰中国自研科学实力的做法，其实也很容易理解。一来是各国所处的角度不同，二来是很担心中国来冲击到它的世界光刻机的地位。 打铁还需自身硬，中国自研 科技 实力一步一步增强，也让竞争对手们胆寒。 科技 的博弈是未来的主旋律，不断增强人才储备和技术科研成果的更新，才能够不落后。核心技术就要掌握在自己手中，中国芯势必会走出一条自己的康庄大道。

华为有救了荷兰光刻机巨头：已向大陆“大量”交付光刻机

哈喽，大家好，我是钻石老狗

一直以来，华为的消息无时无刻不牵动着国人的心。作为在全球市场仅次于苹果的国产手机品牌，在如日中天之际，遭受外邦莫须有的罪名打压排挤。

在美帝的长臂管辖下，世界各个芯片公司都不敢把芯片和光刻机卖给华为。

甚至在前不久就有消息传出，因为芯片问题长期得不到解决，华为要把手机业务给出售...

华为难道真的就这样倒下了吗？

时间来到11月7日上午，中国进口博览会上，荷兰光刻机巨头阿斯麦（ASML）全球副总裁、中国区总裁沈波表示，

该公司对向中国出口集成电路光刻机持开放态度 ， 对全球客户均一视同仁 ， 在法律法规框架下，都将全力支持。

沈波透露，2020年第二、第三季度，公司发往中国大陆地区的光刻机台数超过了全球总台数的20%。

这些话的言外之意，就是说，“不是我不想卖光刻机，只不过碍于美帝的限制，将来如果限制解除了，还是很乐意来大陆做生意的，要怪就怪美帝不让我卖，别怪我”。

我真的忍不住想插句嘴，这真的是生意人的老套路了，墙头草，风往哪吹往哪倒。

目前国内已经开始重视芯片制造行业，一旦国内的光刻机崛起，或者中美关系缓和（拜登如果赢得大选，很有可能），到时候荷兰反而尴尬了。

而后面所说的往中国大陆地区交付的数量占全球20%的光刻机，其实都是些已经落后了三五年内的设备，最多只能生产20mm，14mm工艺的芯片。

真正高端的极紫外光刻机，此前我国曾找ASML花10亿订购过一台，双方合同都已经签了，但是在华为最需要光刻机的时候，这家公司拒交了...

而且在拒交的时候，这家公司的总裁曾表示， 中国永远无法复制出光刻机，因为它太复杂了。

再到现在这次进口博览会上ASML公司的发言，可以说是求生欲满满。

世界首富比尔盖茨这个小坏坏曾经说过，应该开放技术让咱们用，要不然人家就自己研究了，等他们有了，你们的东西就不值钱。

大鹏一日同风起，扶摇直上九万里！

现在我国正以举国之力去发展半导体行业，中科院甚至都立下军令状说光刻机将是下一步的头号科学攻关任务，定下时间表，什么时间以内要达到什么程度，而且这个任务期限很短，就是这三五年的事儿。

这说明中科院其实是心里有底的，而且是能做到的。

可以预见的是，2020年将是国内芯片制造行业技术井喷式发展的元年。

大禹治水、愚公移山、三峡大坝，港珠澳大桥，两弹一勋，航母，芯片...

从古至今，我们都从来不自称是一个幸运的民族，古时和天斗，与地争，我们赢了。

现在，我们的对手是把人分为三六九等傲慢的资本列强，只是我希望我们的对手明白一件事，细细品一下世界史，

古往今来

牌桌上的牌，换了一副又一副

牌桌上的规则，换了一次又一次

牌桌上的玩家，换了一个又一个

连牌桌都不知道换了多少张了

而五千年来，我们一直在牌桌上，我们的对手，却早已换了一轮又一轮。

芯片没有，自己造，只要有足够的时间，就没有什么能难倒我们，千磨万击还坚劲，任尔东西南北风，这就是中国人的韧性！

EUV光刻机争夺战打响，国产光刻技术难题有何解

在当今半导体产业竟争白灼化的今天，荷兰光刻机的ASML公司宣布实现第100套极紫外光刻系统的出货，至2021年年底就采用EUV光刻机光刻了2600万片晶圆半导体材料。

在半导体技术不断发展的时代，光刻的精度也在提高，2021年先进工艺就要进入5纳米至3纳米的工艺节点，极紫外光刻成为绕不开的独木桥，EUV光刻机就是半导体龙头企业竞相购买的焦点。

那么今后，极紫外光刻技术怎样发展？行业巨龙怎样铸就？中国又将在半导体产业上怎样攻克光刻技术的难题？我就从相关媒体渠道的消息知熟后，谈谈自己的认识。

首先芯片制造领先大企，不停的争买极紫外光刻设备。

芯片先进工艺制程的竞争形势，用“得EUV者得芯片天下”来形容并不为过。象台积电、三星电子等大企都在快速推进EUV的进程。促使EUV光刻机成为半导体巨头们在先进工艺领域抢夺优势的焦点。

2020年以来，几大芯片制造商的高层拜访光刻机制造商ASML公司频次增多，每个企业都希望在核心的EUV设备夺得先机，谋求ASML提供更多的EUV设备，也希望ASML协助更加顺利地使用已经购买的EUV光刻机。

ASML成为台积电、三星、英特尔等三芯片制造商争相拉拢对象，是由于半导体逻辑制程技术到达7纳米以下，由于线宽过细，必须使用EUV作为曝光媒介再加上EUV设备产能有限，致使其成为香馍馍。

其次在5纳米至3纳米的芯片制造过程中极紫外光刻是必须的。

随着半导体技术的发展，光刻的精度不断提高，已由微米级经过多层级细化到目前的纳米级，曝光光源的波长也成为EUV线宽突破10纳米、7纳米、5纳米、3纳米工艺的关键。

有关媒体消息显示，芯片制造的难点和关键点在于把电路图从掩膜上转移至硅片上，就需要通过光刻来实现。光刻的工艺水平直接决定芯片的制程水平和性能水平。若是用EUV光刻机，晶圆厂就能减少把芯片设计缩小所遇到的光学麻烦，在这过程中也能省去一些多重图形曝光的步骤，在设计很好的情况下，是能够除降低成本和缩短时间，提高良品率的。所以在ASML的EUV光刻机卖价高达每台1.2亿美元的情况下，芯片厂商都还在积极采购。

在今后芯片先进工艺将会不断推进，达到3纳米、2纳米，甚至是1纳米。那个时侯，EUV光刻技术将会发挥更大的作用。有关资料显示EUV光刻技术将促使摩尔定律继续发挥作用，即使工艺微缩到了1纳米后，摩尔定律也会继续适用。

再次EUV技术将会大力应用于存储芯片，成为ASML极紫外光刻设备的下一个大客户。

不仅逻辑芯片制造要用到EUV设备，而且在今后美光、SK海力士等存储芯片大厂在量产DRAM时也会用到EUV设备。

有关半导体专家指出，存储器主要分为两种：一种是DRAM，另一种是3D NAND。3D NAND竞争目前主要集中在芯片层数上，虽然也需要线宽的微缩化，但需求不那么迫切。而DRAM存储器则不同，如果要往1z（12～14nm）以下推进，就需要用到EUV光刻机。那时，将会有更多存储器厂商订购EUV设备。

据悉，目前已有厂商试着将EUV应用于1z DRAM的生产当中。有的正在为使用EUV光刻技术制造DRAM芯片的大规模生产做准备。这其中不乏有三星、SK海力士、美光等储存芯片制造商，有消息称，他们正在寻找管理EUV设备的工程师和行业人员，对是否采用EUV考量的关键在于芯片生产的成本和效率情况进行研究和论证。

结果表明使用EUV在成本和效率上相比使得多重图形爆光技术的优势更加明显。也！会进行成本效率分析，如果证明成本效率更优是会考虑采用。所以前期要投入资金进行相关工艺的探索和开发。

最后要说明的是极紫外光刻不仅只有EUV光刻机，其供应商除ASML之外，还有日本厂商尼康和佳能。虽然EUV变得越来越重要，ASML的优势也变得越来越明显。然而，极紫外光刻产业又并不仅仅只有EUV光刻机。

根据有关半导体专家介绍，与EUV相关的还包括光掩膜缺陷检测和涂覆显影等周边设备，以及光刻行业的关键材料。大部分还在日本厂商那里的，如果EUV的导入能促进整个工序的技术进步的话，与EUV没有直接联系的工序数也会增加。

国内设备厂在前端涂胶显影机与国际光刻机联机的技术问题已经攻克并通过验证，可以与包括ASML、佳能等国际品牌，以及上海微电子的光刻机联机应用。

目前，在中国已经量产的G线、I线、KrF等三大类光刻胶。都达到一定规模。如南大光电达到年产25吨193nm光刻胶产品，未来还将会攻关EUV光刻胶的技术瓶颈。

还有就是解决光刻难题从非核心开始起步。

国内要发展半导体产业，光刻技术是绕不开的一个坎，象国内目前这样薄弱的基础，短期内攻克EUV设备并不大可能。

有关行业专家也曾指出，高性能光刻技术对中国企业来说成本高昂，但是其战略意义不容忽视。中国要推进完整的光刻工业体系发展，只能采取从低到高或是周边设备材料等的策略，EUV是整套产业链中最困难的一块。

电能消耗是EUV最大的问题，它是传统光刻机的10倍，极紫外光的波长仅有13.5nm，投射后在晶圆表面曝光的强度只剩下前端光进入EUV设备光路系统的2%。所以电耗对成本的影响又进而影响其技术研发。

在电能和光源之外，还有光刻胶也是EUV技术需要面对的另一个问题。据资料表明，光刻胶对于光的敏感度表现于不同波长的光源也有差异，这就对EUV光刻机提出了一些特殊要求。即光刻机选择的波长要和光刻胶对应的波长处于同一个波段，来提升光刻胶对于光源的吸收，达到更好地实现光胶化学变化。

有关专家也表示，极紫外光刻虽然领先，也存在许多需要改进的空间。据此说明国内厂商要先在DUV等领域站住脚跟，从周边设备与材料切入，一步一步地解决芯片制造中存在的问题，打实基础，强根固本，这是不是一个有效的策略呢！关注我会看到每天的分享，评论中互相学习进步。